VBE25R04 - высоковольтный P-MOSFET -500В/4А в корпусе TO-252 от VBsemi

В сегменте промышленных источников питания и умной бытовой техники незаметно разворачивается революция, связанная с повышением удельной мощности и компактности высоковольтных решений.

Компания VBsemi представляет VBE25R04 — первый на внутреннем рынке P-канальный MOSFET с характеристиками -500 В / 4 А, выполненный в компактном корпусе TO-252.

Несмотря на миниатюрные размеры, компонент обеспечивает производительность промышленного класса, открывая новые возможности для оптимизации драйверов светодиодов (LED), интеллектуальных электросчетчиков и других высоковольтных приложений.

1. Технологический прорыв

Революция габаритов в высоковольтном сегменте

• Сочетание высокого напряжения и компактного корпуса:

Реализация блокирующего напряжения –500 В в компактном SMD-корпусе TO-252 (6,5 × 6,2 мм) позволяет по сравнению с традиционными выводными решениями в корпусе TO-220 существенно сократить занимаемую площадь силового узла.

• Высокая плотность тока: Благодаря оптимизированной планарной технологии, допустимый ток стока достигает 4 А. Нагрузочная способность на единицу площади в 1.8 раза выше, чем у конкурентных аналогов.
• Что на практике: В практическом приложении (LED-драйвер) использование данного транзистора позволило сократить площадь печатной платы с 45 см² до 28 см², а стоимость перечня элементов (BOM) снизилась на 22%.

Баланс энергоэффективности и надежности

• Низкое сопротивление канала: Rds(on) ≈ 2 Ом при Vgs = –10 В, что примерно на 15 % ниже среднего уровня для аналогов. При рабочем токе 2 А перегрев компонента составляет всего 18°C.
• Низкое пороговое напряжение -3В позволяет использовать транзистор в схемах, управляемых стандартной логикой 3.3 В и 5 В для реализации функций включения и отключения высоковольтных цепей при умеренных токах, упрощая схемы управления.
• Стойкость к экстремальным условиям: Компонент успешно прошел испытания на термоциклирование (1000 циклов в диапазоне от -55°C до +150°C).

2. Применение VBE25R04

Интеллектуальные системы LED-освещения

• Способен в одиночку управлять цепочкой мощных высоковольтных светодиодов (до 100 Вт), заменяя сложную архитектуру «MOSFET + оптопара».
• Поддерживает ШИМ-диммирование в диапазоне 0–100%.
• Обеспечивает контроль пульсаций (flicker) в соответствии со стандартом IEEE 1789-2015.
• Что на практике: Производитель наружного освещения снизил интенсивность отказов оборудования с 3% до 0.2% после внедрения данного транзистора.

Промышленные вспомогательные источники питания

• Упрощает реализацию обратноходовой топологии (Flyback).
• В модулях ПЛК (PLC) достигнут КПД преобразования 93%.
• Пиковый ток 4 А позволяет эффективно справляться с рекуперацией энергии при торможении электродвигателей.

3. Основные характеристики VBE25R04 

VBE25R04 представляет интерес не столько за счёт максимальных параметров, сколько благодаря сочетанию высокого рабочего напряжения, компактного корпуса и упрощённого управления. Компонент позволяет проектировать более плотные и экономичные высоковольтные схемы, снижая сложность конструкции и требования к обвязке.

Вся линейка продукции VBsemi представлена в каталоге ЮниРЭК:  

IGBT транзисторы
Импульсные DC-DC преобразователи
Полевые транзисторы (MOSFET)
Распродажа со склада

На дополнительные вопросы ответят специалисты ЮниРЭК:

ТЕХНИЧЕСКИЕ ВОПРОСЫ, ЗАКАЗ ОБРАЗЦОВ, УСЛОВИЯ ПОСТАВКИ, ПОДБОР АНАЛОГОВ

или свяжитесь: info@unirec.ru; 8 (800) 511-65-20