Компания YangJie (YJ) представляет cерию SIC MOSFET транзисторов, которая пользуется популярностью во всём Мире. Они широко используются в ветро-, солнечной энергетике, зарядных станциях для электромобилей, системах хранения и передачи энергии.
Основные характеристики
1. 1. Использование карбид кремниевых диодов, транзисторов в импульсных преобразователях позволяет увеличить скорость переключения, оптимизировать энергопотребление, габариты.
2. SIC MOSFET соответствуют требованиям производителей инверторных источников питания, обеспечивая конкурентоспособные характеристики переключения, проводимость и надежность продукции по сравнению с другими решениями на рынке.
3. Продукты подходят не только для обычных импульсных преобразователей, но и для высоковольтных, высокоскоростных переключательных систем с высокими требованиями к управлению.
Особенности
1. Высокая рабочая температура, до 175°C, однополярное управление, большая скорость переключения и низкие потери подходят для высоковольтных, высокочастотных применений.
2. Использование передовой технологии уменьшения толщины SiC MOSFET позволяет получить исключительно низкое сопротивление, что снижает потери энергии.
3. Доступны различные изолированные корпуса, такие как TO-247-3L, TO-247-4L и другие.
4. Продукция прошла строгую сертификацию надежности, включая массовые тесты HTRB, HTGB и HV-H3TRB.
Наименование |
Блокирующее напряжение |
Номина-льный ток |
Поко-ление |
Сопро-тивление (mΩ) @ 25℃
|
Общий заряд на затворе Qg (nC) |
Выходная емкость (pF) |
Общая мощность рассеяния P TOT (W) |
Тепловое сопро-тивление RthJ-C (℃/W) |
Макс. темпе-ратура перехода (℃) |
Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJD212080NCTG1 |
1200 V |
38A |
Gen1 |
77 |
41 |
58 |
220 |
0.68 |
175 |
TO-247-3L |
YJD212080NCFG1 |
1200 V |
39A |
Gen1 |
77 |
41 |
58 |
223 |
0.67 |
175 |
TO-247-4L |