Силовые компоненты подорожают на 10–15%: что закупать заранее в 2026 году

18 августа тайваньская газета Economic Daily News сообщила, что производители силовых полупроводников в Тайване готовят третью корректировку цен. Уже с октября продукция, поставляемая вне долгосрочных контрактов, может подорожать на 10–15%. Это станет третьим повышением с начала года: вслед за памятью и микроконтроллерами рост цен распространяется на силовые электронные компоненты.

Цены на силовые компоненты продолжают расти

По данным участников цепочки поставок, в текущем году цены на силовые полупроводники пересматривались уже дважды. В первом полугодии их средний уровень оказался на 15–20% выше, чем за аналогичный период прошлого года.

Главным фактором третьей волны стал спрос со стороны ЦОД для систем ИИ. Серверные стойки превратились в один из ключевых источников роста потребления силовых компонентов: значительно увеличилась потребность в MOSFET, TVS-диодах, силовых диодах и других комплектующих.

Тайваньская компания Taiwan Semiconductor (TSC) сосредоточилась на линейке MOSFET и диодов для центров обработки данных. Производитель уже серийно поставляет высоковольтные TVS-диоды на 650 В и продолжает разрабатывать изделия на 1000 В, ориентированные на ИИ-стойки и высоковольтные источники питания.

Компания Panjit International также отметила увеличение спроса на мощные TVS-диоды, силовые диоды и MOSFET, применяемые в блоках питания, системах охлаждения и материнских платах ИИ-серверов.

Спрос растет вслед за мощностью вычислительных систем

Представители отрасли связывают дефицит и повышение цен с ростом энергопотребления вычислительных комплексов и переходом ЦОД на распределение питания постоянным током напряжением 800 В.

1. Системы электропитания ЦОД приближаются к предельным нагрузкам

Рост плотности вычислений, длительная работа под полной нагрузкой и резкие изменения потребляемой мощности существенно повышают требования к электроснабжению ЦОД.

Системы распределения питания на 54 В внутри серверных стоек изначально проектировались для нагрузок киловаттного класса. Их возможностей уже недостаточно для новых вычислительных комплексов, где энергопотребление отдельных высокоплотных стоек приближается к мегаваттному уровню.

Дальнейшее увеличение мощности приводит к росту токов, повышению потерь в медных проводниках и усложнению отвода тепла. Это вынуждает производителей переходить на более высокое напряжение распределительной сети.

2. ЦОД переходят на распределение питания 800 В постоянного тока

NVIDIA назвала распределение питания на уровне 800 VDC одним из ключевых элементов ЦОД для систем ИИ следующего поколения. В материалах компании эта концепция также обозначается как 800 V HVDC.

По сравнению с распределительной сетью 415 В переменного тока система 800 VDC позволяет передавать через проводник того же сечения на 85% больше мощности. Одновременно снижаются токовая нагрузка и потери энергии в кабелях и шинах.

Переход на 800 VDC повышает требования к рабочему напряжению компонентов, КПД преобразователей и устойчивости силовых приборов к переходным процессам. Новые возможности получают как традиционные кремниевые компоненты, так и широкозонные силовые приборы на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN).

По оценке China International Capital Corporation, 2026 год стал началом практического внедрения высоковольтных систем распределения питания в ЦОД. Предполагается, что SiC-компоненты будут преимущественно применяться во внешнем контуре электроснабжения — от ввода питания до серверных стоек. GaN-приборы получат распространение непосредственно внутри стоек, в высокочастотных преобразователях и источниках вторичного электропитания.

В отраслевой терминологии эти зоны называют соответственно grey space и white space. Модернизация электропитания ЦОД будет стимулировать спрос на обе технологии.

Производители повышают цены из-за роста затрат

Еще одной причиной подорожания стал рост себестоимости. С начала года производители полупроводниковых пластин, рамок выводов и других материалов повышали цены. Увеличилась стоимость сборки и корпусирования компонентов.

Пока конечный спрос оставался слабым, большинство производителей силовых полупроводников компенсировали дополнительные расходы за счет собственной маржи, чтобы сохранить заказы и долю рынка. После восстановления спроса компании начали включать рост стоимости сырья и производства в отпускные цены.

С начала года о повышении цен объявили Infineon, Texas Instruments, Onsemi и STMicroelectronics. С 26 апреля STMicroelectronics пересмотрела цены на несколько продуктовых линеек. Максимальное повышение составило 15%.

Генеральный директор Infineon Йохен Ханебек заявил, что решения для электропитания ЦОД остаются одним из приоритетных направлений компании. По его прогнозу, в 2027 финансовом году выручка Infineon в этом сегменте достигнет приблизительно 2,5 млрд евро. К концу 2030 года доступный объем рынка может составить от 8 до 12 млрд евро.

Китайские производители также пересматривают цены. Cmsemicon одной из первых повысила стоимость микроконтроллеров и других изделий на 15–50%. Silan Microelectronics с 1 марта увеличила на 10% цены на кристаллы малосигнальных диодов, биполярных транзисторов и MOSFET.

Jiejie Microelectronics с 1 февраля повысила цены на MOSFET на 10–20%, а с 1 мая на 10–20% подорожали IGBT. К пересмотру цен присоединились Wuxi NCE Power и другие производители.

Подорожание затронуло все звенья полупроводниковой отрасли

Спрос со стороны систем ИИ повлиял практически на весь рынок: микросхемы памяти, производство полупроводниковых пластин, сборку и корпусирование, микроконтроллеры и силовые приборы.

Рост вычислительной мощности требует опережающего развития электроснабжения. Поэтому затраты на силовую инфраструктуру ЦОД могут увеличиваться быстрее, чем производительность самих вычислительных комплексов.

Переход на 800 VDC повышает спрос на SiC и GaN

Высоковольтное распределение питания становится одним из основных направлений развития ЦОД. Китайские SiC- и GaN-компоненты уже получают практическое применение в системах электропитания вычислительного оборудования. Таким образом, проекты импортозамещения переходят от опытных разработок к серийным заказам.

Производство переходит на 300-мм пластины

Высоковольтные и сильноточные силовые приборы постепенно переводятся с 200-мм, или 8-дюймовых, на 300-мм, или 12-дюймовые, полупроводниковые пластины. Увеличение диаметра позволяет выпускать больше кристаллов за один технологический цикл и при достаточной загрузке снижать удельную себестоимость производства.

Компании, которые раньше конкурентов освоят массовый выпуск силовых приборов на 300-мм пластинах, смогут получить преимущество в следующем цикле роста спроса.

Подбор и заказ силовых компонентов лучше начать заранее

Откладывать закупку силовых компонентов до октября не стоит. Даже если повышение затронет не все позиции, рост спроса может повлиять на доступность продукции, сроки изготовления и условия поставки. Кроме того, подбор аналога IGBT-модуля требует времени на сравнение электрических параметров, корпуса, схемы включения, потерь мощности и тепловых характеристик.

«ЮниРЭК» рекомендует уже сейчас направить заявку на расчет. Инженеры компании проверят доступные на китайском рынке варианты, подберут аналоги западных силовых компонентов, сравнят их по характеристикам, цене и срокам поставки. Это позволит согласовать замену и сформировать заказ до начала очередной волны повышения цен.

Материал подготовлен на основе информации из открытых интернет-источников и предназначен для информационного обмена.